本文へスキップします。

【全】H1テキスト

ミクロでつなぐ、未来を創る

【全】サイト内検索

【全】ヘッタリンク

H1

フリップチップボンダ

FPB-1s NeoForce マルチプロセス対応パッケージボンダ

FPB-1s NeoForce
マルチプロセス対応パッケージボンダ

FPB-1s NeoForce マルチプロセス対応パッケージボンダ

  • Chip to SubstrateのTCB工法対応パッケージボンダ
  • Face down工法対応(Face up工法はオプション)
  • TCB工法(NCP/NCF/TC-CUF)、C2、C4、FO-WLP工法等に対応可能
  • 独自のNVS[Non Vibration System]技術により、高精度なボンディングを実現
  • FFG[Force Free Gantry]により、350Nまでの高荷重に対応
  • 高速パルスヒータによる短時間加熱・冷却により高スループットを実現
  • 各種突き上げ方式に対応し、薄ダイのハンドリングが可能
  • 品種自動切換え機能により4品種までの異種チップボンディング機能を有し、2.5D、3D積層に対応

仕様

項目 内容
品名 パッケージボンダ
型式 FPB-1s NeoForce
ボンディング対応工法 TCB工法(NCP/NCF/TC-CUF)、C2,C4工法、FO-WLP工法
ボンディング精度 ±2.5μm(3σ) 当社実装条件による
マシンUPH UPH6,000 (C4 mode / プロセスタイムは含まない) 当社実装条件による
ボンディング荷重 0.3~350N
※ボンディングプロセスにおける荷重制御方式の選択が可能
但し、同一ボンドプロファイル内で低荷重制御と高荷重制御の切り替え不可
・低荷重制御方式:0.3~20N 
・高荷重制御方式:10~350N 
ボンディングツール設定温度 室温~400℃ (1℃/ステップ、パルスヒート)
ボンディングステージ設定温度 室温~110℃ (1℃/ステップ)
チップサイズ □1~22mm t=0.02~0.7mm
チップウェーハサイズ φ200mm、φ300mm
基板サイズ L : 120 – 300 mm, W : 40 – 200 mm (Max 450mm option), t : 0.2 – 2.5 mm
ボンディング方向 Face down / Face up (オプション / 条件はご相談下さい)
オプション 通信インターフェース SECSⅡ、HSMS、GEM
駆動源 入力電源 単相 AC200V~240V±5% 50/60Hz(異なる電圧は、ご相談下さい)
消費電力 最大14.0kW
エアー 570kPa(5.7kgf/cm2)300L/min 接続:φ10 Tube 3ヶ所
真空 -75kPa(-550mmHg)以下(ゲージ圧) 接続:φ10 Tube 3ヶ所
装置寸法及び質量 約1,510W × 1,620D × 1,750H mm 約2,500kg (モニタ、表示灯は含まない)

※ 性能改良のため、外観及び仕様の一部を変更することがありますのでご了承ください。

FPB-1w NeoForce マルチプロセス対応パッケージボンダ

FPB-1w NeoForce
マルチプロセス対応パッケージボンダ

FPB-1w NeoForce マルチプロセス対応パッケージボンダ

  • Chip to WaferのTCB工法対応パッケージボンダ
  • Face down工法対応(Face up工法はオプション)
  • TCB工法(NCP/NCF/TC-CUF)、C2、C4、FO-WLP工法等に対応可能
  • 独自のNVS[Non Vibration System]技術により、高精度なボンディングを実現
  • FFG[Force Free Gantry]により、350Nまでの高荷重に対応
  • 高速パルスヒータによる短時間加熱・冷却により高スループットを実現
  • 各種突き上げ方式に対応し、薄ダイのハンドリングが可能
  • 品種自動切換え機能により4品種までの異種チップボンディング機能を有し、2.5D、3D積層に対応
  • マルチヘッド化により、高生産性/省スペース化を実現

仕様

項目 内容
品名  パッケージボンダ
型式 FPB-1w NeoForce 
ボンディング対応工法 TCB工法(NCP/NCF/TC-CUF)、C2,C4工法、FO-WLP工法
ボンディング精度 ±2.5μm(3σ) 当社実装条件による
マシンUPH UPH6,000 (C4 mode / プロセスタイムは含まない) 当社実装条件による
ボンディング荷重

0.3~350N
※ボンディングプロセスにおける荷重制御方式の選択が可能
但し、同一ボンドプロファイル内で低荷重制御と高荷重制御の切り替え不可
・低荷重制御方式:0.3~20N
・高荷重制御方式:10~350N 

ボンディングツール設定温度 室温~400℃ (1℃/ステップ、パルスヒート)
ボンディングステージ設定温度 室温~200℃ (1℃/ステップ)
チップサイズ □1~22mm t=0.02~0.7mm
チップウェーハサイズ φ200mm、φ300mm
ベースウェーハサイズ φ300mm (φ200mmオプション)
ボンディング方向 Face down / Face up (オプション / 条件はご相談下さい)
オプション 通信インターフェース SECSⅡ、HSMS、GEM
駆動源 入力電源 単相 AC200V~240V±5% 50/60Hz(異なる電圧は、ご相談下さい)
消費電力 最大14.0kW
エアー 570kPa(5.7kgf/cm2)300L/min 接続:φ10 Tube 3ヶ所
真空 -75kPa(-550mmHg)以下(ゲージ圧) 接続:φ10 Tube 3ヶ所
装置寸法及び質量 約2,520W × 1,620D × 1,750H mm 約3,100kg (モニタ、表示灯は含まない)

※ 性能改良のため、外観及び仕様の一部を変更することがありますのでご了承ください。

FPB-1ws NeoForce マルチプロセス対応パッケージボンダ

FPB-1ws NeoForce
マルチプロセス対応パッケージボンダ

FPB-1ws NeoForce マルチプロセス対応パッケージボンダ

  • Chip to WaferのTCB工法対応パッケージボンダ
  • 短時間の切り替えでChip to SubstrateのTCB工法に対応
  • Face down工法対応(Face up工法はオプション)
  • TCB工法(NCP/NCF/TC-CUF)、C2、C4、FO-WLP工法等に対応可能
  • 独自のNVS[Non Vibration System]技術により、高精度なボンディングを実現
  • FFG[Force Free Gantry]により、350Nまでの高荷重に対応
  • 高速パルスヒータによる短時間加熱・冷却により高スループットを実現
  • 各種突き上げ方式に対応し、薄ダイのハンドリングが可能
  • 品種自動切換え機能により4品種までの異種チップボンディング機能を有し、2.5D、3D積層に対応
  • マルチヘッド化により、高生産性/省スペース化を実現

仕様

項目 内容
品名  パッケージボンダ
型式 FPB-1ws NeoForce 
ボンディング対応工法 TCB工法(NCP/NCF/TC-CUF)、C2,C4工法、FO-WLP工法
ボンディング精度 ±2.5μm(3σ) 当社実装条件による
マシンUPH UPH6,000 (C4 mode / プロセスタイムは含まない) 当社実装条件による
ボンディング荷重 0.3~350N
※ボンディングプロセスにおける荷重制御方式の選択が可能
但し、同一ボンドプロファイル内で低荷重制御と高荷重制御の切り替え不可
・低荷重制御方式:0.3~20N 
・高荷重制御方式:10~350N 
ボンディングツール設定温度 室温~400℃ (1℃/ステップ、パルスヒート)
ボンディングステージ設定温度 室温~200℃ (1℃/ステップ)
チップサイズ □1~22mm t=0.02~0.7mm
チップウェーハサイズ φ200mm、φ300mm
ベースウェーハサイズ φ300mm (φ200mmオプション)/Substrate
ボンディング方向 Face down / Face up (オプション / 条件はご相談下さい)
オプション 通信インターフェース SECSⅡ、HSMS、GEM
駆動源 入力電源 単相 AC200V~240V±5% 50/60Hz(異なる電圧は、ご相談下さい)
消費電力 最大14.0kW
エアー 570kPa(5.7kgf/cm2)300L/min 接続:φ10 Tube 3ヶ所
真空 -75kPa(-550mmHg)以下(ゲージ圧) 接続:φ10 Tube 3ヶ所
装置寸法及び質量 約2,520W × 1,620D × 1,750H mm 約3,100kg (モニタ、表示灯は含まない)

※ 性能改良のため、外観及び仕様の一部を変更することがありますのでご了承ください。

LFB-1102Super TCB工法サブストレート用フリップチップボンダ

LFB-1102Super
TCB工法サブストレート用フリップチップボンダ

LFB-1102Super TCB工法サブストレート用フリップチップボンダ

  • Chip to SubstrateのTCB工法対応
  • 2Head Module構成により高いスループットを実現
  • プローブカメラ技術とリニアモータの採用により、高速高精度なフリップチップボンディングが可能
  • ボンドヘッドZ軸は高、低荷重切り替え機能により、高精度な位置-荷重制御の両立を実現
  • 高速パルスヒータによる短時間加熱・冷却により高スループットを実現
  • 各種突き上げ方式に対応し、高度な薄ダイのピックアップ能力
  • はんだ溶融検出機能と高精度Z制御により、デバイスへのダメージを軽減(低荷重モード時)
  • 塗布量計量フィードバック機能により、安定したNCPプリディスペンス塗布を実現
  • 安定した品質とプロセスポータビリテイを確保するプロセスモニタリング・管理機能を搭載

仕様

項目 内容
品名  フリップチップボンダ
型式 LFB-1102Super 
ボンディング方式 パルスヒート熱圧着方式
ボンディング精度 ±2μm(3σ) 当社実装条件による
マシンサイクルタイム 1.6s /チップ (プロセスタイムは含まない) 当社実装条件による
ボンディング荷重 1~300N
※ボンディングプロセスにおける荷重制御方式の選択が可能
・低荷重制御方式:1~50N 0.1N/ステップ
・高荷重制御方式:10~300N 1N/ステップ
ボンディングツール設定温度 室温~400℃ (1℃/ステップ、パルスヒート)
ボンディングステージ設定温度 室温~120℃
チップサイズ □2~20mm t=0.05~0.7mm
ウェーハサイズ 最大φ300mm
ワークサイズ 40~100mm(最大ボンディングエリア=90mm)
長さ 120~250mm(最大ボンディングエリア=240mm)
厚さ 0.1~2.5mm
オプション 通信インターフェース SECS、GEM
駆動源 入力電源 単相 AC200V±5% 50/60Hz 30A以上 2ヶ所必要
(異なる電圧は、ご相談下さい)
消費電力 最大5.0kW
エアー 500kPa(5kgf/cm2)250L/min 接続:φ10 Tube 2ヶ所
真空 -75kPa以下(ゲージ圧) 接続:φ10 Tube 4ケ所
装置寸法及び質量 約3,644W × 2,191D × 1,932H mm 約4,080kg(モニタ、表示灯は含まない)

※ 性能改良のため、外観及び仕様の一部を変更することがありますのでご了承ください。

LFB-2301 TCB工法ウェーハ用フリップチップボンダ

LFB-2301
TCB工法ウェーハ用フリップチップボンダ

LFB-2301 TCB工法ウェーハ用フリップチップボンダ

  • Chip to WaferのNCF-TCB工法対応
  • プローブカメラ技術とリニアモータの採用により、高速高精度なフリップチップボンディングが可能
  • ボンドヘッドZ軸は高、低荷重切り替え機能により、高精度な位置-荷重制御の両立を実現
  • Shinkawa NRS技術によりファインピッチボンディングを阻害する振動を低減
  • 高速パルスヒータによる短時間加熱・冷却により高スループットを実現
  • 品種自動切換え機能により4品種までの異種チップボンディング機能を有し、2.5D、3D積層に対応
  • 各種突き上げ方式に対応し、高度な薄ダイのピックアップ能力
  • はんだ溶融検出機能と高精度Z制御により、デバイスへのダメージを軽減(低荷重モード時)
  • 安定した品質とプロセスポータビリテイを確保するプロセスモニタリング・管理機能を搭載
  • チップウェーハ、ベースウェーハ共に12インチウェーハに対応

仕様

項目 内容
品名  フリップチップボンダ
型式 LFB-2301
ボンディング方式 パルスヒート熱圧着方式
ボンディング精度 ±2μm(3σ) 当社実装条件による
マシンサイクルタイム 2.2s/チップ (プロセスタイムは含まない) 当社実装条件による
ボンディング荷重 1~300N
※ボンディングプロセスにおける荷重制御方式の選択が可能
但し、同一ボンドプロファイル内で低荷重制御と高荷重制御の切り替え不可
・低荷重制御方式:1~50N 0.1N/ステップ
・高荷重制御方式:10~300N 1N/ステップ
ボンディングツール設定温度 室温~400℃ (1℃/ステップ、パルスヒート)
ボンディングステージ設定温度 室温~150℃ (1℃/ステップ)
チップサイズ □2~20mm t=0.05~0.7mm
チップウェーハサイズ φ200mm、φ300mm
ベースウェーハサイズ φ200mm、φ300mm
工法 NCF-TCB 工法オプション:NCP-TCB、Flux-TCB
オプション 通信インターフェース SECSⅠ/SECSⅡ、HSMS、GEM
駆動源 入力電源 三相 AC200V±5% 50/60Hz(異なる電圧は、ご相談下さい)
消費電力 最大5.0kW
エアー 570kPa(5.7kgf/cm2)250L/min 接続:φ10 Tube 1ヶ所
真空 -74kPa(-550mmHg)以下(ゲージ圧) 接続:φ10 Tube 3ヶ所
装置寸法及び質量 約3,292W × 1,521D × 1,701H mm 約3,000kg (モニタ、表示灯、ロードポートは含まない)

※ 性能改良のため、外観及び仕様の一部を変更することがありますのでご了承ください。

YSB55w 高速・高精度フリップチップボンダ

YSB55w
高速・高精度フリップチップボンダ

YSB55w 高速・高精度フリップチップボンダ

  • デュアルフリップヘッドによるパラレル処理と8部品同時のボンディングプロセスにより高速搭載を実現
  • 高剛性フレームと制御アルゴリズムで優れた位置決め精度を実現
  • 高性能な位置補正用バンプ認識カメラの搭載
  • 小型荷重制御ヘッド
  • □2~□30mmの幅広いチップサイズに対応
  • 設定変更が容易なフラックス転写ユニット

仕様

項目 内容
品名 フリップチップボンダ
型式 YSB55w
対象基板寸法 L260×W200~L50×W50mm
対象基板厚 0.2〜3.0mm
基板搬送方向 左→右 (オプション:右→左)
搭載能力 13,000UPH (プロセス時間含む最適条件時)
搭載精度 ±5μm(3σ) (当社標準部品による保証値)
部品供給形態 12インチウエハ
対象部品 □2~30mm
電源仕様 三相AC 200/208/220/240/380/400/416V ±10% 50/60Hz供給
供給エア源 0.5Mpa 以上
外形寸法 L2,090×D1,866×H1,550mm
質量 約3,500kg

※ 性能改良のため、外観及び仕様の一部を変更することがありますのでご了承ください。