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H1

新川的挑战

细锁连接、Capillary Wedge Bonding (CWB)

细锁连接、Capillary Wedge Bonding (CWB)

细锁连接、Capillary Wedge Bonding (CWB)

NAND闪存广泛利用于从USB存储到云服务器等记忆媒体。为了大容量化,通常将多块芯片重叠焊接。多段重叠芯片的信号,是由所焊接的金属细线传达。一般来说,相应段数的焊接和反复切断焊线是很费时费力的工作,已成为提高生产力的瓶颈。

对此,新川开发了Capillary Wedge Bonding (CWB) 技术,可以不切断金属线,连续进行多段焊接。通过此技术,有希望以绝对性的优势缩短单件工时。新川为了使更多客户得以利用,将对此技术持续改善。

对应机种

为了连接、抓取纤薄之物、Pulse Vacuum Reverse Multi Step (PV-RMS)

为了连接、抓取纤薄之物、Pulse Vacuum Reverse Multi Step (PV-RMS)

为了连接、抓取纤薄之物、Pulse Vacuum Reverse Multi Step (PV-RMS)

向多层化发展的NAND闪存厚度,在即使包含粘结层的情况下,切薄至30um。如此纤薄,很容易弯曲和碎裂。为了粘结元器件,抓取芯片的技术必不可少,但同时处理极薄的芯片面临极大的困难。巧妙地利用元器件弯曲特性的抓取方式是Pulse Vacuum Reverse Multi Step(PV-RMS)。通过从sheet外部间断性地真空排气,利用弯曲芯片的恢复力,促使芯片高效剥离。不仅仅是薄芯片,对于易损坏的Through Silicon Via (TSV)构造等芯片同样有效,在未来电子元器件粘结领域,可谓关键技术。

对应机种

高效连接、多段芯片一次性贴片

高效连接、多段芯片一次性贴片

高效连接、多段芯片一次性贴片

随着芯片的纤薄化、高密度化、大型化的发展,对于倒装芯片时的弯曲·装配精度提出了高要求。作为其解决方法,提案了Thermal Compression Bonding(TCB)工艺、适用于应用TSV (Through Silicon Via)最尖端存储(HBM、HMC等)。此工艺是在加压、加热的同时,进行电极端的锡铅合金接合以及Underflow的固化,由于此工艺需要10秒左右的单件工时,限制了生产力的提高。

新川对可能适用于多枚芯片一并粘结的各种工艺(Gang bonding, Collective bonding等),进行了各种核心技术的基础研究·开发。通过各项核心技术的确立和高速TCB Bonder FPB系列的并用,在ECTC2017上公告了可以使生产力提升约20倍的研究成果。

对应机种

为了连接,整齐排列!小型芯片高密度实装

为了连接,整齐排列!小型芯片高密度实装

为了连接,整齐排列!小型芯片高密度实装

在任何设备都搭载传感器的IoT社会,需要将尽可能多样的功能添加进小型精密的器件中。新川拥有焊接100um左右小型芯片的技术,销售高速(最大UPH 20000多)、高精度(根据选择项XY:±5μm(3σ))的设备

有效地利用此设备,如图所示可以每30um的间隔配置一颗 150um的芯片。此设备能够对应3mm左右的芯片尺寸。可以将混合搭载EMS、RF等模块的元件也设计在小型精密器件中。是在IoT时代发挥重要作用,占有一席之地的设备。

对应机种

从「连接」到「加工创造」作为电子部品制作机器的焊线机

从「连接」到「加工创造」作为电子部品制作机器的焊线机

从「连接」到「加工创造」 作为电子部品制作机器的焊线机

焊线机,是用以连接可传导电气信号金属线的设备,被广泛应用。仍进一步发展的空间。

从大量『连接』经验得知,金属线是可以被任意控制的。有效地利用此特性,可以实现电子部品的重要部件线圈的制作等,最终实现电子部品制作设备的进化。例如,可以制作特定数量线圈、以回路调整为目的进行补足线圈的制作。

新川会以焊线机为基础,在现在和未来不断进行新的尝试和挑战。

对应机种

连接前的清洁是重要的。Dust Free Cleaner (DFC)

连接前的清洁是重要的。Dust Free Cleaner (DFC)

用于NAND闪存的接合剂Die Attach Film (DAF) 只有5um如此之薄。NAND闪存大多是多段叠层。叠层新芯片的时候,如果在应叠加的芯片上有超过5um大小的微粒存在的话,就会导致芯片破裂等情况,降低生产能力。所以芯片叠层前的清洁已成为重要课题。

新川立即致力研究本课题,成功开发比以往提升60倍清洁速度的DFC单元。在最前线生产现场得到性能认可的同时,通过高速清洁有助于生产能力的提升。

连接前的清洁是重要的。Dust Free Cleaner (DFC)

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